Semiconductor Device & Circuit

《半導體元件與電路》是一本免費的工程手冊，涵蓋重要的課程主題、筆記、圖表、方程式、公式和學習資料。這本電子書和參考指南適用於專科、工程學士、技術學士、理學學士及相關學位課程。

本書包含 5 個章節，涵蓋 160 個主題，包括半導體材料、晶體生長、載子、漂移與擴散、半導體製造、p-n 接面、二極體和金屬-半導體接觸。是考試複習、口試、面試、作業和專案的理想選擇。

相關工程分支

電子與通訊工程 (ECE)、電機與電子工程 (EEE)、電機工程、半導體工程、材料科學、應用物理學、微電子學、電腦工程與奈米技術。

160個主題中的78個

半導體材料與晶體

1. 海恩斯-蕭克利實驗

2. 半導體材料

3. 晶格

4. 立方晶格

5. 晶面和晶向

6. 鑽石晶格

7. 體晶體生長

8. 單晶錠生長

9. 半導體晶片

10. 外延生長

11. 氣相外延

12. 分子束外延

載子與光學過程

13. 半導體中的載子

14. 有效質量

15. 本徵半導體

16. 外延半導體

17. 量子阱中的電子和電洞

18. 費米能階

19. 補償與空間電荷中性

20. 載子漂移和電阻

21. 光吸收

22. 光致發光

23. 電致發光

24. 載子壽命和光電導率

25. 直接電子-電洞複合

26. 間接複合和俘獲

27. 穩態載子產生和準費米能階

28. 光電導器件

輸運、擴散和遷移率

29. 擴散過程

30. 載子擴散、漂移與內建電場

31. 擴散、複合與連續性方程

32. 穩態注入與擴散長度

33. 準費米能階梯度

34. 載子濃度的溫度依賴性

35. 溫度和摻雜對遷移率的影響

36. 高場效應

37. 霍爾效應

半導體裝置製造工藝

38. P-N 結製造：熱氧化

39. P-N 結擴散

40. 快速熱處理

41. 離子注入

42. 化學氣相沉積 (CVD)

43. 光刻

44. 蝕刻

45. 金屬化

P-N 接面與二極體

46. 平衡條件

47. 平衡費米能階

48. 結空間電荷

49. 正向偏壓和反向偏壓結

50. 載子注入

51. 反向偏置

52. 反向偏移擊穿

53. 齊納擊穿

54. 雪崩擊穿

55. 整流器

56. 擊穿二極體

57. 瞬態與交流條件

58. 反向恢復瞬態

59. 理想二極體模型

60. 接觸電位的影響載子注入

61. 開關二極體

62. PN結電容

63. 過渡區複合與產生

64. 歐姆損耗

65. 漸變結

金屬-半導體接觸

66. 金屬-半導體結：肖特基勢壘

67. 電流傳輸過程

68. 熱電子發射理論

69. 擴散理論

70. 熱電子發射擴散理論

71. 整流接觸

72. 隧道電流

73. 少數載子注入

74. MIS隧道二極體

75. 勢壘高度測量

76. 活化能測量

77. 光電測量

78. 歐姆接觸

使用這本免費參考電子書學習半導體物理、裝置製造、PN結特性和電子傳輸。