Semiconductor Device & Circuit

Dispositivos y Circuitos Semiconductores es un manual de ingeniería gratuito que abarca temas importantes del curso, notas, diagramas, ecuaciones, fórmulas y material de estudio. Utilice este libro digital y guía de referencia para diplomados, ingenieros, licenciados en tecnología, licenciados en ciencias y titulaciones afines.

Explore 160 temas distribuidos en 5 capítulos, incluyendo materiales semiconductores, crecimiento de cristales, portadores de carga, deriva y difusión, fabricación de semiconductores, uniones p-n, diodos y contactos metal-semiconductor. Ideal para repasar para exámenes, presentaciones orales, entrevistas, trabajos y proyectos.

RAMAS DE INGENIERÍA RELACIONADAS

Ingeniería Electrónica y de Comunicaciones (ECE), Ingeniería Eléctrica y Electrónica (EEE), Ingeniería Eléctrica, Ingeniería de Semiconductores, Ciencia de Materiales, Física Aplicada, Microelectrónica, Ingeniería Informática y Nanotecnología.

78 TEMAS SELECCIONADOS DE 160

MATERIALES Y CRISTALES SEMICONDUCTORES

1. Experimento de Haynes-Shockley

2. Materiales semiconductores

3. Red cristalina

4. Redes cúbicas

5. Planos y direcciones cristalinas

6. Red de diamante

7. Crecimiento de cristales a granel

8. Crecimiento de lingotes monocristalinos

9. Obleas semiconductoras

10. Crecimiento epitaxial

11. Epitaxia en fase gaseosa

12. Epitaxia por haces moleculares

PORTADORES DE CARGA Y PROCESOS ÓPTICOS

13. Portadores de carga en semiconductores

14. Masa efectiva

15. Semiconductores intrínsecos

16. Semiconductores extrínsecos

17. Electrones y huecos en pozos cuánticos

18. Nivel de Fermi

19. Compensación y neutralidad de carga espacial

20. Deriva de portadores y resistencia

21. Óptica 22. Absorción

23. Fotoluminiscencia

24. Tiempo de vida de los portadores y fotoconductividad

25. Recombinación directa electrón-hueco

26. Recombinación indirecta y atrapamiento

27. Generación de portadores en estado estacionario y niveles cuasi-Fermi

28. Dispositivos fotoconductores

TRANSPORTE, DIFUSIÓN Y MOVILIDAD

29. Procesos de difusión

30. Difusión, deriva y campos internos de los portadores

31. Difusión, recombinación y ecuación de continuidad

32. Inyección en estado estacionario y longitud de difusión

33. Gradientes de niveles cuasi-Fermi

34. Dependencia de la concentración de portadores con la temperatura

35. Efectos de la temperatura y el dopaje en la movilidad

36. Efectos de campo intenso

37. Efecto Hall

FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

38. Fabricación de uniones p-n: térmica Oxidación

39. Difusión en la unión P-N

40. Procesamiento térmico rápido

41. Implantación iónica

42. Deposición química en fase vapor (CVD)

43. Fotolitografía

44. Grabado

45. Metalización

UNIONES P-N Y DIODOS

46. Condiciones de equilibrio

47. Niveles de Fermi de equilibrio

48. Carga espacial de la unión

49. Uniones polarizadas en directa e inversa

50. Inyección de portadores

51. Polarización inversa

52. Ruptura por polarización inversa

53. Ruptura Zener

54. Ruptura por avalancha

55. Rectificadores

56. Diodos de ruptura

57. Condiciones transitorias y de CA

58. Transitorio de recuperación inversa

59. Modelo de diodo ideal

60. Efectos del potencial de contacto en la inyección de portadores

61. Diodos de conmutación

62. Capacitancia de la unión P-N

63. Recombinación y generación en la región de transición

64. Pérdidas óhmicas

65. Uniones graduadas

Contactos metal-semiconductor

66. Uniones metal-semiconductor: Barreras Schottky

67. Procesos de transporte de corriente

68. Teoría de la emisión termoiónica

69. Teoría de la difusión

70. Teoría de la emisión termoiónica-difusión

71. Contactos rectificadores

72. Corriente de tunelización

73. Inyección de portadores minoritarios

74. Diodos túnel MIS

75. Medición de la altura de la barrera

76. Medición de la energía de activación

77. Medición fotoeléctrica

78. Contactos óhmicos

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