Semiconductor Device & Circuit

Semiconductor Device & Circuit

Engineering Wale Baba
2026年09月25日
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このSemiconductor Device & Circuitについて

半導体デバイスと回路に関するノート:ダイオード、PN接合、および製造方法

半導体デバイスと回路は、重要な講義トピック、ノート、図、方程式、公式、学習資料を網羅した無料の工学ハンドブックです。このデジタル書籍と参考書は、ディプロマ、BE、BTech、BSc、および関連する学位課程で活用できます。

半導体材料、結晶成長、電荷キャリア、ドリフトと拡散、半導体製造、p-n接合、ダイオード、金属-半導体接点など、5章にわたる160のトピックを網羅しています。試験対策、口頭試問、面接、課題、プロジェクトに最適です。

関連工学分野

電子通信工学(ECE)、電気電子工学(EEE)、電気工学、半導体工学、材料科学、応用物理学、マイクロエレクトロニクス、コンピュータ工学、ナノテクノロジー

全160トピック中78トピックを表示

半導体材料と結晶

1. ヘインズ・ショックレー実験

2. 半導体材料

3. 結晶格子

4. 立方格子

5. 結晶面と結晶方向

6. ダイヤモンド格子

7. バルク結晶成長

8. 単結晶インゴット成長

9. 半導体ウェハ

10. エピタキシャル成長

11. 気相エピタキシー

12. 分子線エピタキシー

電荷キャリアと光学的プロセス

13. 半導体中の電荷キャリア

14. 有効質量

15. 真性半導体

16. 不純物半導体

17. 量子井戸中の電子と正孔

18. フェルミ準位

19. 補償と空間電荷中性

20. キャリアドリフトと抵抗

21. 光吸収

22. フォトルミネッセンス

23. エレクトロルミネッセンス

24. キャリア寿命と光伝導性

25. 直接電子-正孔再結合

26. 間接再結合とトラップ

27. 定常状態キャリア生成と準フェルミ準位

28. 光伝導デバイス

輸送、拡散、移動度

29. 拡散過程

30. キャリア拡散、ドリフト、内部電界

31. 拡散、再結合、連続方程式

32. 定常状態注入と拡散長

33. 準フェルミ準位勾配

34. キャリア濃度の温度依存性

35. 移動度に対する温度とドーピングの影響

36. 高電界効果

37. ホール効果

半導体デバイス製造

38. PN接合の製造:熱酸化

39. PN接合の拡散

40. 高速熱処理

41. イオン注入

42. 化学気相成長法(CVD)

43. フォトリソグラフィ

44. エッチング

45. 金属化

PN接合とダイオード

46. 平衡状態

47. 平衡フェルミ準位

48. 接合空間電荷

49. 順方向および逆方向バイアス接合

50. キャリア注入

51. 逆バイアス

52. 逆バイアス降伏

53. ツェナー降伏

54. アバランシェ降伏

55. 整流器

56. 降伏ダイオード

57. 過渡状態と交流状態

58. 逆回復過渡現象

59. 理想ダイオードモデル

60. 接触電位の影響キャリア注入

61. スイッチングダイオード

62. p-n接合容量

63. 遷移領域における再結合と生成

64. オーム損失

65. 傾斜接合

金属-半導体接点

66. 金属-半導体接合:ショットキー障壁

67. 電流輸送プロセス

68. 熱電子放出理論

69. 拡散理論

70. 熱電子放出拡散理論

71. 整流接点

72. トンネル電流

73. 少数キャリア注入

74. MISトンネルダイオード

75. 障壁高さ測定

76. 活性化エネルギー測定

77. 光電効果測定

78. オーム接点

この無料参考電子書籍で、半導体物理学、デバイス製造、p-n接合特性、電子輸送について学びましょう。

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最新バージョン 14.0 の更新情報

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