Semiconductor Device & Circuit

Dispositivos e Circuitos Semicondutores é um manual de engenharia gratuito que abrange tópicos importantes do curso, notas, diagramas, equações, fórmulas e materiais de estudo. Use este livro digital e guia de referência para cursos de Diploma, Bacharelado em Engenharia, Bacharelado em Tecnologia, Bacharelado em Ciências e cursos de graduação relacionados.

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ÁREAS DE ENGENHARIA RELACIONADAS

Engenharia Eletrônica e de Comunicações (ECE), Engenharia Elétrica e Eletrônica (EEE), Engenharia Elétrica, Engenharia de Semicondutores, Ciência dos Materiais, Física Aplicada, Microeletrônica, Engenharia da Computação e Nanotecnologia.

78 TÓPICOS LISTADOS DE 160

MATERIAIS E CRISTAIS SEMICONDUTORES

1. Experimento de Haynes-Shockley

2. Materiais Semicondutores

3. Rede Cristalina

4. Redes Cúbicas

5. Planos e Direções Cristalinas

6. Rede do Diamante

7. Crescimento de Cristais em Massa

8. Crescimento de Lingotes Monocristalinos

9. Wafer Semicondutor

10. Crescimento Epitaxial

11. Epitaxia em Fase Vapor

12. Epitaxia por Feixe Molecular

PORTADORES DE CARGA E PROCESSOS ÓPTICOS

13. Portadores de Carga em Semicondutores

14. Massa Efetiva

15. Semicondutores Intrínsecos

16. Semicondutores Extrínsecos

17. Elétrons e Lacunas em Poços Quânticos

18. Nível de Fermi

19. Compensação e Neutralidade de Carga Espacial

20. Portador Deriva e Resistência

21. Absorção Óptica

22. Fotoluminescência

23. Eletroluminescência

24. Tempo de Vida dos Portadores e Fotocondutividade

25. Recombinação Direta Elétron-Buraco

26. Recombinação Indireta e Aprisionamento

27. Geração de Portadores em Estado Estacionário e Níveis Quasi-Fermi

28. Dispositivos Fotocondutores

TRANSPORTE, DIFUSÃO E MOBILIDADE

29. Processos de Difusão

30. Difusão de Portadores, Deriva e Campos Internos

31. Difusão, Recombinação e Equação da Continuidade

32. Injeção em Estado Estacionário e Comprimento de Difusão

33. Gradientes de Nível Quasi-Fermi

34. Dependência da Concentração de Portadores com a Temperatura

35. Efeitos da Temperatura e da Dopagem na Mobilidade

36. Efeitos de Alto Campo

37. Efeito Hall

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR FABRICAÇÃO

38. Fabricação de Junções P-N: Oxidação Térmica

39. Difusão em Junções P-N

40. Processamento Térmico Rápido

41. Implantação Iônica

42. Deposição Química de Vapor (CVD)

43. Fotolitografia

44. Gravação Atômica

45. Metalização

JUNÇÕES E DIODOS P-N

46. Condições de Equilíbrio

47. Níveis de Fermi de Equilíbrio

48. Carga Espacial da Junção

49. Junções Polarizadas Direta e Reversamente

50. Injeção de Portadores

51. Polarização Reversa

52. Ruptura por Polarização Reversa

53. Ruptura Zener

54. Ruptura por Avalanche

55. Retificadores

56. Diodos de Ruptura

57. Condições Transientes e de Corrente Alternada

58. Transiente de Recuperação Reversa

59. Modelo de Diodo Ideal

60. Efeitos do Potencial de Contato sobre os Portadores Injeção

61. Diodos de Comutação

62. Capacitância da Junção P-N

63. Recombinação e Geração na Região de Transição

64. Perdas Ôhmicas

65. Junções Graduadas

CONTATOS METAL-SEMICONDUTOR

66. Junções Metal-Semicondutor: Barreiras Schottky

67. Processos de Transporte de Corrente

68. Teoria da Emissão Termiônica

69. Teoria da Difusão

70. Teoria da Emissão Termiônica-Difusão

71. Contatos Retificadores

72. Corrente de Tunelamento

73. Injeção de Portadores Minoritários

74. Diodos de Tunelamento MIS

75. Medição da Altura da Barreira

76. Medição da Energia de Ativação

77. Medição Fotoelétrica

78. Contatos Ôhmicos

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