Semiconductor Device & Circuit

„Urządzenia i obwody półprzewodnikowe” to darmowy podręcznik inżynierski, obejmujący ważne tematy, notatki, diagramy, równania, wzory i materiały do ​​nauki. Skorzystaj z tej cyfrowej książki i przewodnika dla osób studiujących na studiach dyplomowych, inżynierskich, inżynierskich, inżynierskich i pokrewnych.

Zbadaj 160 tematów w 5 rozdziałach, w tym materiały półprzewodnikowe, wzrost kryształów, nośniki ładunku, dryft i dyfuzję, wytwarzanie półprzewodników, złącza p-n, diody i styki metal-półprzewodnik. Idealny do powtórki przed egzaminami, egzaminu ustnego, rozmów kwalifikacyjnych, zadań i projektów.

POKREWNE DYSCYPLINY INŻYNIERYJNE

Elektronika i komunikacja (ECE), Elektrotechnika i elektronika (EEE), Elektrotechnika, Inżynieria półprzewodników, Materiałoznawstwo, Fizyka stosowana, Mikroelektronika, Inżynieria komputerowa i Nanotechnologia.

78 WYMIENIONYCH TEMATÓW ZE 160

MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE I KRYSZTAŁY

1. Eksperyment Haynesa-Shockleya

2. Materiały półprzewodnikowe

3. Sieć krystaliczna

4. Sieci sześcienne

5. Płaszczyzny i kierunki krystaliczne

6. Sieć diamentowa

7. Wzrost kryształów objętościowych

8. Wzrost wlewków monokrystalicznych

9. Płytki półprzewodnikowe

10. Wzrost epitaksjalny

11. Epitaksja w fazie gazowej

12. Epitaksja z wiązek molekularnych

NOŚNIKI ŁADUNKU I PROCESY OPTYCZNE

13. Nośniki ładunku w półprzewodnikach

14. Masa efektywna

15. Półprzewodniki samoistne

16. Półprzewodniki zewnętrzne

17. Elektrony i dziury w studniach kwantowych

18. Poziom Fermiego

19. Kompensacja i Neutralność ładunku przestrzennego

20. Dryf i rezystancja nośników

21. Absorpcja optyczna

22. Fotoluminescencja

23. Elektroluminescencja

24. Czas życia nośników i fotoprzewodnictwo

25. Bezpośrednia rekombinacja elektronowo-dziurowa

26. Pośrednia rekombinacja i pułapkowanie

27. Generacja nośników w stanie stacjonarnym i poziomy quasi-Fermiego

28. Urządzenia fotoprzewodzące

TRANSPORT, DYFUZJA I RUCHOMOŚĆ

29. Procesy dyfuzyjne

30. Dyfuzja nośników, dryf i pola wbudowane

31. Równanie dyfuzji, rekombinacji i ciągłości

32. Wstrzyknięcie w stanie stacjonarnym i długość dyfuzji

33. Gradienty poziomu quasi-Fermiego

34. Zależność stężenia nośników od temperatury

35. Wpływ temperatury i domieszkowania na ruchliwość

36. Pole silne Efekty

37. Efekt Halla

WYTWARZANIE URZĄDZEŃ PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

38. Wytwarzanie złączy p-n: utlenianie termiczne

39. Dyfuzja złączy p-n

40. Szybka obróbka termiczna

41. Implantacja jonów

42. Osadzanie chemiczne z fazy gazowej (CVD)

43. Fotolitografia

44. Trawienie

45. Metalizacja

ZŁĄCZA p-n i diody

46. Warunki równowagi

47. Równowagowe poziomy Fermiego

48. Ładunek przestrzenny złącza

49. Złącza spolaryzowane w kierunku przewodzenia i zaporowo

50. Wstrzykiwanie nośników

51. Polaryzacja zaporowa

52. Przebicie w kierunku zaporowym

53. Przebicie Zenera

54. Przebicie lawinowe

55. Prostowniki

56. Diody przebicia

57. Prądy przejściowe i przemienne Warunki

58. Przejściowy stan przejściowy z odwróceniem stanu

59. Model diody idealnej

60. Wpływ potencjału styku na wstrzykiwanie nośników

61. Diody przełączające

62. Pojemność złącza p-n

63. Rekombinacja i generacja w obszarze przejściowym

64. Straty omowe

65. Złącza stopniowane

Styki metal-półprzewodnik

66. Złącza metal-półprzewodnik: bariery Schottky'ego

67. Procesy transportu prądu

68. Teoria emisji termoelektronowej

69. Teoria dyfuzji

70. Teoria emisji termoelektronowej-dyfuzji

71. Styki prostownicze

72. Prąd tunelowania

73. Wstrzykiwanie nośników mniejszościowych

74. Diody tunelowe MIS

75. Pomiar wysokości bariery

76. Pomiar energii aktywacji

77. Pomiary fotoelektryczne

78. Kontakty omowe

Znajdź podstawy fizyki półprzewodników, wytwarzania urządzeń, charakterystyki złączy p-n i transportu elektronicznego dzięki temu darmowemu e-bookowi.