Semiconductor Device & Circuit

อุปกรณ์และวงจรเซมิคอนดักเตอร์ เป็นคู่มือวิศวกรรมฟรีที่ครอบคลุมหัวข้อสำคัญในหลักสูตร บันทึกย่อ แผนภาพ สมการ สูตร และสื่อการเรียนรู้ ใช้หนังสือดิจิทัลและคู่มืออ้างอิงนี้สำหรับหลักสูตรอนุปริญญา วิศวกรรมศาสตรบัณฑิต (BE, BTech, BSc) และหลักสูตรปริญญาที่เกี่ยวข้อง

สำรวจ 160 หัวข้อใน 5 บท รวมถึงวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ การเจริญเติบโตของผลึก ตัวนำประจุ การเคลื่อนที่และการแพร่ การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ รอยต่อ p-n ไดโอด และหน้าสัมผัสโลหะ-เซมิคอนดักเตอร์ เหมาะสำหรับการทบทวนเพื่อสอบ การสอบปากเปล่า การสัมภาษณ์ การบ้าน และโครงงาน

สาขาวิศวกรรมที่เกี่ยวข้อง

วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์และการสื่อสาร (ECE), วิศวกรรมไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์ (EEE), วิศวกรรมไฟฟ้า, วิศวกรรมเซมิคอนดักเตอร์, วิทยาศาสตร์วัสดุ, ฟิสิกส์ประยุกต์, ไมโครอิเล็กทรอนิกส์, วิศวกรรมคอมพิวเตอร์ และนาโนเทคโนโลยี

78 หัวข้อจาก 160 หัวข้อ

วัสดุเซมิคอนดักเตอร์และผลึก

1. การทดลองเฮย์นส์-ช็อกลีย์

2. วัสดุเซมิคอนดักเตอร์

3. โครงสร้างผลึก

4. โครงสร้างผลึกแบบลูกบาศก์

5. ระนาบและทิศทางของผลึก

6. โครงสร้างผลึกแบบเพชร

7. การเจริญเติบโตของผลึกขนาดใหญ่

8. การเจริญเติบโตของแท่งผลึกเดี่ยว

9. แผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์

10. การเจริญเติบโตแบบเอพิแทกเซียล

11. การเจริญเติบโตแบบเอพิแทกเซียลในเฟสไอ

12. การเจริญเติบโตแบบเอพิแทกเซียลด้วยลำแสงโมเลกุล

ตัวนำประจุและกระบวนการทางแสง

13. ตัวนำประจุในเซมิคอนดักเตอร์

14. มวลยังผล

15. เซมิคอนดักเตอร์แบบอินทรินสิก

16. เซมิคอนดักเตอร์แบบเอ็กซ์ทรินสิก

17. อิเล็กตรอนและโฮลในบ่อควอนตัม

18. ระดับเฟอร์มิ

19. การชดเชยและความเป็นกลางของประจุในอวกาศ

20. การเคลื่อนที่ของตัวนำและความต้านทาน

21. การดูดกลืนแสง

22. การเรืองแสงด้วยแสง

23. การเรืองแสงด้วยไฟฟ้า

24. อายุการใช้งานของตัวนำและสภาพนำไฟฟ้าด้วยแสง

25. การรวมตัวของอิเล็กตรอนและโฮลโดยตรง

26. การรวมตัวและการดักจับโดยอ้อม

27. การสร้างตัวนำในสภาวะคงที่และระดับควาซีเฟอร์มิ

28. อุปกรณ์นำไฟฟ้าด้วยแสง

การขนส่ง การแพร่ และการเคลื่อนที่

29. กระบวนการแพร่

30. การแพร่ การเคลื่อนที่ และสนามภายในของตัวนำ

31. การแพร่ การรวมตัว และสมการความต่อเนื่อง

32. การฉีดในสภาวะคงที่และความยาวการแพร่

33. การไล่ระดับควาซีเฟอร์มิ

34. การพึ่งพาอุณหภูมิของความเข้มข้นของตัวนำ

35. ผลกระทบของอุณหภูมิและการเจือปนต่อการเคลื่อนที่

36. ผลกระทบของสนามสูง

37. ปรากฏการณ์ฮอลล์

การผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

38. การผลิตรอยต่อ P-N: ความร้อน การออกซิเดชัน

39. การแพร่ของรอยต่อ P-N

40. การประมวลผลความร้อนอย่างรวดเร็ว

41. การฝังไอออน

42. การตกตะกอนไอสารเคมี (CVD)

43. โฟโตลิโทกราฟี

44. การกัด

45. การเคลือบโลหะ

รอยต่อ P-N และไดโอด

46. สภาวะสมดุล

47. ระดับเฟอร์มิสมดุล

48. ประจุพื้นที่รอยต่อ

49. รอยต่อแบบไบแอสไปข้างหน้าและย้อนกลับ

50. การฉีดตัวนำ

51. ไบแอสย้อนกลับ

52. การพังทลายแบบไบแอสย้อนกลับ

53. การพังทลายแบบซีเนอร์

54. การพังทลายแบบอะวาแลนซ์

55. ตัวเรียงกระแส

56. ไดโอดพังทลาย

57. สภาวะชั่วคราวและกระแสสลับ

58. สภาวะชั่วคราวการฟื้นตัวย้อนกลับ

59. แบบจำลองไดโอดในอุดมคติ

60. ผลกระทบของศักย์สัมผัสต่อการฉีดตัวนำ

61. ไดโอดสวิตช์

62. ความจุของรอยต่อ P-N

63. การรวมตัวและการสร้างใหม่ในบริเวณเปลี่ยนผ่าน

64. การสูญเสียโอห์มิก

65. รอยต่อแบบไล่ระดับ

หน้าสัมผัสโลหะ-สารกึ่งตัวนำ

66. รอยต่อโลหะ-สารกึ่งตัวนำ: กำแพงชอตต์กี

67. กระบวนการขนส่งกระแสไฟฟ้า

68. ทฤษฎีการปล่อยเทอร์มิออนิก

69. ทฤษฎีการแพร่

70. ทฤษฎีการปล่อยเทอร์มิออนิกและการแพร่

71. หน้าสัมผัสแบบเรียงกระแส

72. กระแสอุโมงค์

73. การฉีดพาหะส่วนน้อย

74. ไดโอดอุโมงค์ MIS

75. การวัดความสูงของกำแพง

76. การวัดพลังงานกระตุ้น

77. การวัดด้วยโฟโตอิเล็กทริก

78. หน้าสัมผัสโอห์มิก

ศึกษาฟิสิกส์ของสารกึ่งตัวนำ การผลิตอุปกรณ์ คุณลักษณะของรอยต่อ p-n และการขนส่งอิเล็กตรอนด้วยอีบุ๊กอ้างอิงฟรีเล่มนี้