Semiconductor Device & Circuit

"Dispositivi e circuiti a semiconduttore" è un manuale di ingegneria gratuito che copre argomenti importanti del corso, appunti, diagrammi, equazioni, formule e materiale di studio. Utilizza questo libro digitale e guida di riferimento per corsi di diploma, laurea triennale (BE, BTech, BSc) e corsi di laurea affini.

Esplora 160 argomenti suddivisi in 5 capitoli, tra cui materiali a semiconduttore, crescita cristallina, portatori di carica, deriva e diffusione, fabbricazione di semiconduttori, giunzioni p-n, diodi e contatti metallo-semiconduttore. Ideale per la preparazione agli esami, colloqui, prove scritte, compiti e progetti.

RAMI INGEGNERICI CORRELATI

Ingegneria elettronica e delle comunicazioni (ECE), Ingegneria elettrica ed elettronica (EEE), Ingegneria elettrica, Ingegneria dei semiconduttori, Scienza dei materiali, Fisica applicata, Microelettronica, Ingegneria informatica e Nanotecnologie.

78 ARGOMENTI ELENCATI SU 160

MATERIALI E CRISTALLI SEMICONDUTTORI

1. Esperimento di Haynes-Shockley

2. Materiali semiconduttori

3. Reticolo cristallino

4. Reticoli cubici

5. Piani e direzioni cristalline

6. Reticolo diamantino

7. Crescita di cristalli massivi

8. Crescita di lingotti monocristallini

9. Wafer semiconduttori

10. Crescita epitassiale

11. Epitassia in fase vapore

12. Epitassia a fascio molecolare

PORTATORI DI CARICA E PROCESSI OTTICI

13. Portatori di carica nei semiconduttori

14. Massa efficace

15. Semiconduttori intrinseci

16. Semiconduttori estrinseci

17. Elettroni e lacune nei pozzi quantici

18. Livello di Fermi

19. Compensazione e neutralità di carica spaziale

20. Deriva dei portatori e resistenza

21. Ottica Assorbimento

22. Fotoluminescenza

23. Elettroluminescenza

24. Durata di vita dei portatori e fotoconduttività

25. Ricombinazione diretta elettrone-lacuna

26. Ricombinazione indiretta e intrappolamento

27. Generazione di portatori allo stato stazionario e livelli quasi-Fermi

28. Dispositivi fotoconduttivi

TRASPORTO, DIFFUSIONE E MOBILITÀ

29. Processi di diffusione

30. Diffusione dei portatori, deriva e campi intrinseci

31. Diffusione, ricombinazione ed equazione di continuità

32. Iniezione allo stato stazionario e lunghezza di diffusione

33. Gradienti del livello quasi-Fermi

34. Dipendenza dalla temperatura della concentrazione dei portatori

35. Effetti della temperatura e del drogaggio sulla mobilità

36. Effetti di campo elevato

37. Effetto Hall

FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE

38. Fabbricazione di giunzioni P-N: Termica Ossidazione

39. Diffusione nella giunzione P-N

40. Processamento termico rapido

41. Impiantazione ionica

42. Deposizione chimica da fase vapore (CVD)

43. Fotolitografia

44. Incisione

45. Metallizzazione

GIUNZIONI P-N E DIODI

46. Condizioni di equilibrio

47. Livelli di Fermi di equilibrio

48. Carica spaziale di giunzione

49. Giunzioni polarizzate direttamente e inversamente

50. Iniezione di portatori

51. Polarizzazione inversa

52. Rottura in polarizzazione inversa

53. Rottura Zener

54. Rottura a valanga

55. Raddrizzatori

56. Diodi di rottura

57. Condizioni transitorie e in corrente alternata

58. Transitorio di recupero inverso

59. Modello di diodo ideale

60. Effetti del potenziale di contatto sull'iniezione di portatori

61. Diodi di commutazione

62. Giunzione P-N Capacità

63. Ricombinazione e generazione nella regione di transizione

64. Perdite ohmiche

65. Giunzioni a gradiente

CONTATTI METALLO-SEMICONDUTTORE

66. Giunzioni metallo-semiconduttore: barriere Schottky

67. Processi di trasporto di corrente

68. Teoria dell'emissione termoionica

69. Teoria della diffusione

70. Teoria dell'emissione termoionica-diffusione

71. Contatti raddrizzatori

72. Corrente di tunneling

73. Iniezione di portatori minoritari

74. Diodi tunnel MIS

75. Misura dell'altezza della barriera

76. Misura dell'energia di attivazione

77. Misura fotoelettrica

78. Contatti ohmici

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