Semiconductor Device & Circuit

„Halbleiterbauelemente & Schaltungen“ ist ein kostenloses Ingenieurhandbuch mit wichtigen Kursinhalten, Notizen, Diagrammen, Gleichungen, Formeln und Lernmaterialien. Nutzen Sie dieses digitale Buch und Nachschlagewerk für Diplom-, Bachelor- (BE, BTech, BSc) und verwandte Studiengänge.

Entdecken Sie 160 Themen in 5 Kapiteln, darunter Halbleitermaterialien, Kristallwachstum, Ladungsträger, Drift und Diffusion, Halbleiterfertigung, p-n-Übergänge, Dioden und Metall-Halbleiter-Kontakte. Ideal zur Prüfungsvorbereitung, für mündliche Prüfungen, Vorstellungsgespräche, Hausarbeiten und Projekte.

VERWANDTE INGENIEURWESEN

Elektronik und Kommunikationstechnik (ECE), Elektrotechnik und Elektronik (EEE), Elektrotechnik, Halbleitertechnik, Materialwissenschaften, Angewandte Physik, Mikroelektronik, Informatik und Nanotechnologie.

78 von 160 Themen

Halbleitermaterialien & Kristalle

1. Haynes-Shockley-Experiment

2. Halbleitermaterialien

3. Kristallgitter

4. Kubische Gitter

5. Kristallflächen und -richtungen

6. Diamantgitter

7. Wachstum von Massenkristallen

8. Wachstum von Einkristallblöcken

9. Halbleiterwafer

10. Epitaxie

11. Dampfphasenepitaxie

12. Molekularstrahlepitaxie

Ladungsträger & Optische Prozesse

13. Ladungsträger in Halbleitern

14. Effektive Masse

15. Intrinsische Halbleiter

16. Extrinsische Halbleiter

17. Elektronen und Löcher in Quantentöpfen

18. Fermi-Niveau

19. Kompensation und Raumladungsneutralität

20. Ladungsträgerdrift und Widerstand

21. Optische Absorption

22. Photolumineszenz

23. Elektrolumineszenz

24. Trägerlebensdauer und Photoleitfähigkeit

25. Direkte Elektronen-Loch-Rekombination

26. Indirekte Rekombination und Ladungsträgerfallen

27. Stationäre Trägererzeugung und Quasi-Fermi-Niveaus

28. Photoleitende Bauelemente

TRANSPORT, DIFFUSION & MOBILITÄT

29. Diffusionsprozesse

30. Trägerdiffusion, Drift und eingebaute Felder

31. Diffusion, Rekombination und Kontinuitätsgleichung

32. Stationäre Injektion und Diffusionslänge

33. Quasi-Fermi-Niveau-Gradienten

34. Temperaturabhängigkeit der Trägerkonzentration

35. Temperatur- und Dotierungseffekte auf die Mobilität

36. Hochfeldeffekte

37. Hall-Effekt

HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN

38. Herstellung von p-n-Übergängen: Thermische Oxidation

39. p-n-Übergänge Sperrschichtdiffusion

40. Schnelle thermische Behandlung

41. Ionenimplantation

42. Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)

43. Fotolithografie

44. Ätzen

45. Metallisierung

P-N-Übergänge und Dioden

46. Gleichgewichtsbedingungen

47. Fermi-Niveaus im Gleichgewicht

48. Raumladungszustand des p-N-Übergangs

49. Vorwärts- und rückwärtsgekoppelte p-N-Übergänge

50. Ladungsträgerinjektion

51. Sperrspannung

52. Durchbruch in Sperrrichtung

53. Zener-Durchbruch

54. Lawinendurchbruch

55. Gleichrichter

56. Durchbruchdioden

57. Transiente und Wechselstrombedingungen

58. Sperrverzögerungstransiente

59. Ideales Diodenmodell

60. Einfluss des Kontaktpotenzials auf die Ladungsträgerinjektion

61. Schaltdioden

62. Kapazität des p-N-Übergangs

63. Rekombination und Generation im Übergangsbereich

64. Ohmscher Widerstand Verluste

65. Gradientenübergänge

Metall-Halbleiter-Kontakte

66. Metall-Halbleiter-Übergänge: Schottky-Barrieren

67. Stromtransportprozesse

68. Thermionische Emissionstheorie

69. Diffusionstheorie

70. Thermionische Emissions-Diffusionstheorie

71. Gleichrichterkontakte

72. Tunnelstrom

73. Minoritätsträgerinjektion

74. MIS-Tunneldioden

75. Barrierenhöhenmessung

76. Aktivierungsenergiemessung

77. Fotoelektrische Messung

78. Ohmsche Kontakte

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